HBM la tecnología que revoluciona el mercado de la DRAM

HBM impulsa la recuperación de los ingresos por DRAM

La memoria de alto ancho de banda (HBM) es una interfaz RAM de alto rendimiento para DRAM apiladas en 3D que se utiliza junto con aceleradores de gráficos de alto rendimiento y dispositivos de red. HBM logra un mayor ancho de banda mientras usa menos energía en un factor de forma sustancialmente más pequeño que DDR4 o GDDR5. HBM ha sido adoptada por JEDEC como un estándar de la industria en octubre de 2013 y la segunda generación, HBM2, fue aceptada por JEDEC en enero de 2016.

Crecimiento intertrimestral del 20,4% en el segundo trimestre de 2023

Según el informe de mercado de DRAMeXchange, una división de TrendForce, los ingresos globales por DRAM alcanzaron los 24.100 millones de dólares en el segundo trimestre de 2023, lo que supone un aumento intertrimestral del 20,4%. Este crecimiento se debe principalmente a la fuerte demanda de HBM para aplicaciones de computación de alto rendimiento (HPC), inteligencia artificial (IA) y redes.

El informe señala que Samsung, SK Hynix y Micron, los tres principales proveedores de DRAM, han aumentado su producción y envío de HBM en el segundo trimestre, lo que ha impulsado sus ingresos y márgenes brutos. Samsung lideró el mercado con una cuota del 43,5% y unos ingresos de 10.480 millones de dólares, lo que supone un aumento intertrimestral del 18,6%. SK Hynix ocupó el segundo lugar con una cuota del 28,2% y unos ingresos de 6.800 millones de dólares, lo que supone un aumento intertrimestral del 23,4%. Micron se situó en el tercer lugar con una cuota del 22,5% y unos ingresos de 5.420 millones de dólares, lo que supone un aumento intertrimestral del 19,7%.

Perspectivas para el tercer trimestre de 2023

DRAMeXchange espera que la demanda de HBM siga siendo fuerte en el tercer trimestre de 2023, ya que los principales fabricantes de chips como AMD, Nvidia e Intel lanzarán nuevos productos basados en HBM para HPC, IA y redes. Además, se prevé que la demanda de DRAM para servidores, PC y dispositivos móviles también aumente debido a la recuperación económica mundial y al lanzamiento de nuevos modelos.

Sin embargo, el informe también advierte que la oferta de DRAM podría verse afectada por la escasez continua de componentes clave como los sustratos ABF (ajenos al benceno y al formaldehído) y los encapsulados. Esto podría provocar un aumento de los costes y una reducción del suministro efectivo. Por lo tanto, DRAMeXchange pronostica que los precios medios de venta (ASP) de DRAM seguirán subiendo en el tercer trimestre, pero a un ritmo más lento que en el segundo trimestre.

Conclusión

HBM es una tecnología clave para impulsar el rendimiento y la eficiencia energética de las aplicaciones que requieren un gran ancho de banda de memoria. HBM ha contribuido al crecimiento intertrimestral del 20,4% en los ingresos por DRAM en el segundo trimestre de 2023 y se espera que siga siendo un factor importante en el tercer trimestre. Sin embargo, la oferta y la demanda de DRAM también se verán afectadas por otros factores como la escasez de componentes, el lanzamiento de nuevos productos y la recuperación económica mundial.

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