Samsung anuncia la producción de la novena generación de V-NAND con más de 300 capas

Samsung comenzará a producir la novena generación de memoria flash V-NAND el próximo año: continúe adoptando la arquitectura de doble pila, más de 300 capas

Samsung Electronics, el líder mundial en tecnología de memoria, ha anunciado sus planes para iniciar la producción en masa de su novena generación de memoria flash V-NAND el próximo año. Esta nueva generación tendrá más de 300 capas de celdas y seguirá adoptando la arquitectura de doble pila que Samsung introdujo por primera vez en su octava generación.

¿Qué es la memoria flash V-NAND?

La memoria flash V-NAND (Vertical NAND) es un tipo de memoria no volátil que almacena datos en celdas apiladas verticalmente en varias capas. A diferencia de la memoria flash plana o 2D NAND, que tiene un límite físico en el número de celdas que se pueden colocar en un chip, la memoria flash V-NAND puede aumentar la densidad y la capacidad al apilar más capas de celdas sin reducir el tamaño de las mismas.

La memoria flash V-NAND tiene varias ventajas sobre la memoria flash plana, como una mayor velocidad, una mayor fiabilidad, una menor potencia y una mayor resistencia al desgaste. Estas características la hacen ideal para aplicaciones como unidades de estado sólido (SSD), tarjetas de memoria, dispositivos móviles y centros de datos.

¿Qué novedades trae la novena generación de memoria flash V-NAND?

Samsung ha revelado su ambición en el sector de las memorias flash al anunciar que tiene como objetivo producir en masa su novena generación de memoria flash V-NAND para 2024 y crear una versión con más de 1.000 capas de celdas hasta 2030. La novena generación tendrá más de 300 capas y será la primera en utilizar una nueva tecnología llamada «canal único» que permite conectar cada capa con un solo contacto eléctrico.

La tecnología del canal único simplifica el proceso de fabricación y reduce el número de orificios que se deben perforar para conectar las capas, lo que mejora la eficiencia y reduce los costes. Además, la novena generación seguirá utilizando la arquitectura de doble pila que Samsung introdujo en su octava generación, que consiste en apilar dos conjuntos de 128 capas con una capa intermedia dieléctrica entre ellos.

La arquitectura de doble pila permite aumentar el número de capas sin comprometer la calidad y el rendimiento, ya que evita los problemas de interferencia entre las celdas y mejora la uniformidad del voltaje. La octava generación, que tiene 236 capas, es por mucho la más avanzada de la compañía y ofrece una velocidad de transferencia de datos de 2.000 megatransferencias por segundo (MT/s), lo que supone un aumento del 10% respecto a la séptima generación.

¿Qué beneficios tendrá la novena generación de memoria flash V-NAND para los usuarios?

La novena generación de memoria flash V-NAND permitirá a Samsung ofrecer soluciones de almacenamiento más rápidas, eficientes y duraderas para diversos mercados y clientes. Por ejemplo, Samsung podrá lanzar unidades SSD con interfaz PCIe 4.0 y 5.0 mucho más rápidas, utilizando un nuevo controlador optimizado para múltiples tareas y grandes cargas de trabajo. También podrá fabricar tarjetas microSD con mayor capacidad y velocidad para dispositivos móviles como smartphones y cámaras.

Además, Samsung podrá satisfacer la creciente demanda de almacenamiento en la nube y el big data, ofreciendo soluciones que reducen el consumo energético y el espacio físico requerido para almacenar grandes cantidades de datos. La novena generación también mejorará la resistencia al desgaste y la fiabilidad de las memorias flash V-NAND, lo que prolongará su vida útil y reducirá los costes de mantenimiento.