Samsung lanza nueva memoria HBM3E Shinebolt

Samsung lanza HBM3E Shinebolt para aplicaciones de inteligencia artificial de próxima generación

Samsung ha anunciado el lanzamiento de su nueva memoria HBM3E Shinebolt, que está diseñada para aplicaciones de inteligencia artificial de próxima generación. La HBM3E Shinebolt es la quinta generación de memoria HBM de Samsung y es un tipo actualmente orientado a computación aunque originalmente fue codesarrollada por AMD junto a SK Hynix para tarjetas gráficas para juegos.

¿Qué es la HBM3E Shinebolt?

La HBM3E Shinebolt es una memoria de alto ancho de banda que ofrece una velocidad de transferencia de datos de hasta 6,4 Gbps por pin, lo que supone un aumento del 60% con respecto a los 4 Gbps de la HBM2E Flashbolt. Además, tiene una capacidad de hasta 24 GB por paquete, lo que supone un aumento del 50% con respecto a los 16 GB de la HBM2E Flashbolt.

¿Para qué se utiliza la HBM3E Shinebolt?

La memoria HBM3E Shinebolt está diseñada para aplicaciones de alto rendimiento como la inteligencia artificial, el aprendizaje automático, la computación en la nube y los gráficos.

¿Cómo funciona la HBM3E Shinebolt?

La HBM3E Shinebolt está compuesta por ocho o doce chips de memoria HBM de 24 Gb de capacidad producidos con un proceso litográfico de 14 nm usando luz ultravioleta extrema. Estos chips se venderán en capacidades de 24 GB y 36 GB.

¿Cuáles son las características clave de la HBM3E Shinebolt?

• Velocidad: hasta 6,4 Gbps por pin.
• Capacidad: hasta 24 GB por paquete.
• Composición: ocho o doce chips de memoria HBM.
• Proceso litográfico: 14 nm usando luz ultravioleta extrema.