Samsung lanza la memoria HBM3E Shinebolt con capacidades récord

Samsung prepara la memoria HBM3E Shinebolt de 5ª generación con capacidades de hasta 24 GB y 36 GB

¿Qué es la memoria HBM3E Shinebolt?

La memoria HBM3E Shinebolt es el nuevo producto de Samsung que ofrece un rendimiento y una eficiencia energética superiores a los de la generación anterior de HBM2E Flashbolt. La memoria HBM3E Shinebolt está diseñada para aplicaciones de alto rendimiento como la inteligencia artificial, el aprendizaje automático, la computación en la nube y los gráficos.

¿Qué características tiene la memoria HBM3E Shinebolt?

La memoria HBM3E Shinebolt tiene las siguientes características:

• Una velocidad de transferencia de datos de hasta 6,4 Gbps por pin, lo que supone un aumento del 60% con respecto a los 4 Gbps de la HBM2E Flashbolt.

• Una capacidad de hasta 24 GB por paquete, lo que supone un aumento del 50% con respecto a los 16 GB de la HBM2E Flashbolt. Esto se logra mediante el apilamiento de 12 capas de chips DRAM en una sola matriz.

• Una capacidad máxima de hasta 36 GB por paquete, lo que supone un aumento del 125% con respecto a los 16 GB de la HBM2E Flashbolt. Esto se logra mediante el apilamiento de dos matrices de 12 capas cada una.

• Un ancho de banda de memoria de hasta 819,2 GB/s por paquete, lo que supone un aumento del 60% con respecto a los 512 GB/s de la HBM2E Flashbolt.

• Una eficiencia energética mejorada, ya que consume un 20% menos de energía por bit que la HBM2E Flashbolt.

¿Qué ventajas tiene la memoria HBM3E Shinebolt?

La memoria HBM3E Shinebolt tiene las siguientes ventajas:

• Permite una mayor densidad y escalabilidad al ofrecer más capacidad y ancho de banda en un espacio reducido.

• Reduce el consumo energético y el calor generado al ofrecer un rendimiento superior con una menor tensión y corriente.

• Mejora el rendimiento y la fiabilidad al reducir la latencia y el ruido entre los chips DRAM y el controlador.

¿Cuándo estará disponible la memoria HBM3E Shinebolt?

Samsung ha anunciado que iniciará la producción en masa de la memoria HBM3E Shinebolt a finales de este año. Se espera que la memoria HBM3E Shinebolt se utilice en las próximas tarjetas gráficas, procesadores y aceleradores para aplicaciones de alto rendimiento.