Samsung anuncia la llegada de la memoria HBM4 en 2025

Samsung prepara la memoria HBM4 para 2025

¿Qué es la memoria HBM?

La memoria HBM (High Bandwidth Memory) es un tipo de memoria DRAM que se usa principalmente en aplicaciones de alto rendimiento, como tarjetas gráficas, procesadores de inteligencia artificial o supercomputadoras. La característica principal de la memoria HBM es que se apila en varias capas verticales, conectadas por unos conductores llamados TSV (Through Silicon Vias). Esto permite aumentar la densidad, el ancho de banda y la eficiencia energética de la memoria, en comparación con otros tipos de memoria como GDDR o DDR.

¿Qué ventajas tiene la memoria HBM4?

La memoria HBM4 será la cuarta generación de la memoria HBM, que se espera que se introduzca en 2025. Según Samsung, uno de los principales fabricantes de este tipo de memoria, la memoria HBM4 tendrá una interfaz de 2048 bits por pila, el doble que la memoria HBM3, que tiene una interfaz de 1024 bits. Esto significa que la memoria HBM4 podrá ofrecer un ancho de banda de hasta 2 TB/s por pila, el doble que la memoria HBM3E, que ofrece un ancho de banda de 1,25 TB/s por pila.

Además, la memoria HBM4 tendrá una capacidad por pila de entre 32 GB y 64 GB, lo que supone un gran salto respecto a la capacidad máxima actual de 16 GB por pila. Para lograr esta capacidad, Samsung usará unas pilas de 16 capas (16-Hi), que requieren unas tecnologías avanzadas para proteger los TSV y reducir la distancia entre los dispositivos DRAM.

¿Qué aplicaciones tendrá la memoria HBM4?

La memoria HBM4 será ideal para las aplicaciones que requieren un alto rendimiento y una baja latencia, como las tarjetas gráficas de última generación, los procesadores de inteligencia artificial o las supercomputadoras. La memoria HBM4 permitirá aumentar el rendimiento y la eficiencia energética de estos dispositivos, así como reducir el tamaño y el coste de los mismos.

¿Qué desafíos tiene el desarrollo de la memoria HBM4?

El desarrollo de la memoria HBM4 no está exento de desafíos, ya que implica unas tecnologías complejas y unos requisitos exigentes. Por ejemplo, Samsung tendrá que perfeccionar el uso de una película no conductora (NCF) y un enlace híbrido de cobre (HCB) para proteger los TSV y minimizar la distancia entre los dispositivos DRAM. Además, Samsung tendrá que competir con otros fabricantes como Micron o SK Hynix, que también están trabajando en sus propias versiones de la memoria HBM4.

Conclusión

La memoria HBM4 será la próxima generación de la memoria HBM, que se espera que llegue en 2025. La memoria HBM4 tendrá una interfaz de 2048 bits por pila, una capacidad por pila de entre 32 GB y 64 GB y un ancho de banda de hasta 2 TB/s por pila. La memoria HBM4 será ideal para las aplicaciones de alto rendimiento y baja latencia, como las tarjetas gráficas, los procesadores de inteligencia artificial o las supercomputadoras. Sin embargo, el desarrollo de la memoria HBM4 también supone unos desafíos técnicos y competitivos para Samsung y otros fabricantes.