La Revolución de Samsung en Diseño de Memoria: Más Allá de 10nm

Samsung y la Revolución del 3D DRAM

 

Un Futuro Más Brillante y Compacto

Samsung ha anunciado su intención de liderar la carrera de la memoria 3D DRAM después de 2025, con nuevos diseños de chips que prometen mayor capacidad y dispositivos más pequeños. Esta tecnología disruptiva podría transformar el mercado de la memoria, valorado en $100 mil millones.

Innovación en Diseño de Transistores

Los Transistores de Canal Vertical representan un cambio fundamental en el diseño de transistores. Al cambiar el flujo de corriente de horizontal a vertical, Samsung busca reducir significativamente la huella del transistor.

Apilamiento de Memoria para Máxima Capacidad

El DRAM Apilado se centra en maximizar la utilización del espacio. A diferencia del DRAM 2D tradicional, el DRAM Apilado aprovecha la dimensión vertical para apilar múltiples capas de celdas de memoria dentro de un solo chip, lo que podría aumentar la capacidad de un solo chip a más de 100GB.

Impulsando la Tecnología para el Futuro

Estos avances son parte del plan a largo plazo de Samsung para mejorar las capacidades de memoria para aplicaciones diversas, incluyendo centros de datos, electrónica de consumo y tecnologías emergentes como la inteligencia artificial y las redes 5G.

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