AMD y Samsung se Unen para Chips de 3nm GAAFET

AMD y Samsung: Alianza para la Innovación en Chips de 3 Nanómetros

 

Una Asociación Estratégica

AMD y Samsung están preparando una colaboración para desarrollar tecnología de fabricación de semiconductores de 3 nanómetros. Esta alianza estratégica podría transformar el panorama de la industria de semiconductores, ya que combina la experiencia en diseño de chips de AMD con la capacidad de fabricación avanzada de Samsung.

Avances en Diseño de Transistores

La CEO de AMD, Lisa Su, ha destacado los beneficios de los transistores GAAFET (Gate-All-Around Field-Effect Transistor) en comparación con los tradicionales FinFET. Los transistores GAAFET permiten una mejora significativa en el flujo eléctrico dentro de los chips, lo que es crucial para el rendimiento y la eficiencia energética.

Implicaciones para la Industria

La implementación de la tecnología de 3 nanómetros de Samsung es un paso adelante respecto a la competencia, especialmente TSMC, que actualmente utiliza transistores FinFET. La adopción de GAAFET por parte de AMD podría significar una ventaja competitiva en términos de rendimiento de sus productos.

Futuro de la Computación

Los chips de 3 nanómetros están destinados a ser el núcleo de la próxima generación de computadoras personales y dispositivos móviles, ofreciendo una potencia y eficiencia sin precedentes. Con esta alianza, AMD y Samsung están posicionados para liderar esta nueva era.

⬆️ El diagrama de Samsung Foundry muestra la evolución de un transistor de FinFET a GAAFET y luego a MBCFET. El proceso de 3 nm de la empresa coreana utilizará transistores GAAFET, que ha desarrollado en asociación con International Business Machines Corporation (IBM). Imagen: Electrónica Samsung

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