TSMC Impulsa la Innovación con Dados Base HBM4 en Nodos de 12nm y 5nm

Avances en la Memoria HBM4: Samsung y SK hynix a la Vanguardia

Samsung y SK hynix: Ojos Puestos en la DRAM 1c

Samsung y SK hynix están enfocando sus esfuerzos en la DRAM 1c como la elección principal para la memoria HBM4. Se espera que esta nueva generación de memoria ofrezca capacidades y ancho de banda de memoria sin precedentes, gracias a tecnologías de empaquetado 3D y pilas de hasta 16-Hi.

TSMC Prepara los Dados Base HBM4 en 12nm y 5nm

TSMC está avanzando en la preparación de los dados base para la memoria HBM4 utilizando nodos de proceso de 12nm y 5nm. Estos avances son cruciales para el desarrollo de la próxima generación de memoria, que promete ser un componente clave en el futuro de la inteligencia artificial y los aceleradores de GPU.

La Carrera Hacia la Memoria de Próxima Generación

Tanto Samsung como SK hynix han mostrado sus planes iniciales para debutar con la memoria HBM4 entre 2025 y 2026. Samsung busca recuperar su impulso en el mercado después de no pasar las pruebas de calificación para las últimas GPU de IA de NVIDIA, mientras que SK hynix planea utilizar la DRAM 1b para sus productos HBM4 y la DRAM 1c para la memoria HBM4E de próxima generación.

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